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凈化工程
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半導體凈化車間裝修設計:結構維護、暖通、特種氣體、空壓...

半導體集成電路的高速發(fā)展是潔凈度等級的擴大和控制微粒粒徑日益嚴格的重要標志。 半導體凈化車間設計的設計范圍包括:裝修方案(圍護、地面防水保溫處理),暖通方案(空調(diào)設備、風管、水管等),特氣供應方案(特氣柜含保險控制、房間氣體監(jiān)測、EP級管道及BA級管道、供氣管路尾氣處理),壓縮空氣方案,廢氣處理方案(儀器設備POU處理、房間排風廢氣處理),電氣方案(空調(diào)設備動力配電等),弱電工程,集成控制智能平臺,...

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內(nèi)容介紹

半導體集成電路的高速發(fā)展是潔凈度等級的擴大和控制微粒粒徑日益嚴格的重要標志。

半導體凈化車間設計的設計范圍包括:裝修方案(圍護、地面防水保溫處理),暖通方案(空調(diào)設備、風管、水管等),特氣供應方案(特氣柜含保險控制、房間氣體監(jiān)測、EP級管道及BA級管道、供氣管路尾氣處理),壓縮空氣方案,廢氣處理方案(儀器設備POU處理、房間排風廢氣處理),電氣方案(空調(diào)設備動力配電等),弱電工程,集成控制智能平臺,純水方案(冷卻水、去離子水、超純水、水管等),廢水處理。


一、我國潔凈廠房、潔凈室的標準規(guī)范主要有:

1. GB50073 潔凈廠房設計規(guī)范

2. GB50457 醫(yī)藥工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范

3. GB50472電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范

4. GB50591 潔凈室施工及驗收規(guī)范

5. GB50333醫(yī)院手術部建筑技術規(guī)范

6. GB50346生物安全實驗室建筑技術規(guī)范


二、結構圍護工程

墻板及吊頂:本工程隔墻采用企口型機制玻鎂巖棉夾芯板0.426,玻鎂巖棉彩鋼板符合潔凈廠房二級消防要求,玻鎂巖棉彩鋼夾芯板具有1000℃的耐火性能,耐火等級達到A級。巖棉密度:≥1000kg/m3;導熱系數(shù):≤0.046w/m.k;燃燒性能:A級(不燃)。耐火極限為30~120分鐘。廣泛應用于食品、電子、醫(yī)藥、飲料、生物研究等行業(yè)。

地板:車間內(nèi)采用防靜電型PVC地板,其中千級和百級車間采用防靜電型架高鋼板,其它為普通型PVC地板。PVC地板是當今世界上非常流行的一種新型輕體地面裝飾材料,也稱為輕體地材使用非常廣泛,比如家庭、醫(yī)院、學校、辦公樓、工廠、公共場所、超市、商業(yè)等各種場所。

半導體凈化車間裝修



三、暖通工程

設備:空調(diào)制冷負荷:經(jīng)統(tǒng)計計算,總冷負荷約500KW。采用恒溫恒濕潔凈空調(diào),夏季采用磁懸浮水冷機組,冬季采用廠區(qū)鍋爐熱水供熱。

風管:風管采用共板法蘭風管。

水管:空調(diào)水管采用無縫鋼管。水泵采用星-三角降壓啟動。


四、特種氣體工程

工藝氣體種類多,純度高,并且易燃易爆有毒。安全問題突出,為保證系統(tǒng)的安全和穩(wěn)定可靠,建議采用進口成熟產(chǎn)品。

因為 MOCVD 生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì),并且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料,因此在MOCVD 系統(tǒng)的設計思想上,通常要考慮系統(tǒng)密封性要好,流量、溫度控制要明確,組分變換要迅速,系統(tǒng)要緊湊等。核心工作是氣體輸運系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng)。


五、空壓氣體工程

螺桿式空壓機組主要主要有以下系統(tǒng)組成:空氣流程系統(tǒng)、潤滑油流程系統(tǒng)、冷卻系統(tǒng)、安全保護系統(tǒng)、控制系統(tǒng)及電氣線路。螺桿式空壓機組主要有壓縮機、電動機、空氣濾清器、進氣閥、油氣桶、空氣冷卻器、潤滑油冷卻器壓力開關、單向閥、儲氣罐、壓力表、自動排水器、安全閥等設備部件。另外在空壓機系統(tǒng)中大多配置冷干機和空氣干燥器。


六、廢氣工程

由于半導體工藝對操作室清潔度要求高,通常使用風機抽取工藝過程中揮發(fā)的各類廢氣,因此半導體行業(yè)廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發(fā)為主。表中給出了不同生產(chǎn)工藝排放的廢氣組成。這些廢氣排放主要可以分為四類:酸性氣體、堿性氣體、有機廢氣和有毒氣體。

半導體凈化車間


七、生產(chǎn)廢氣排放源及組成表

廢氣來源組成外延工序SiH4SiHCl3、SiH2Cl2、SiCl4、AsH3、B2H6、PH3、HClH2清洗工序H2SO4、H2O2、HNO3HCl、HFH3PO4、NH4FNH4OH 等光刻工序異丙醇、醋酸丁酯、甲苯、Cl2、BCl3C2F6C3F8、CF4、SF6、HFHClNO、C3H8HBrH2S 等化學機械拋光NH4OH、NH4Cl、NH3、KOH、有機酸鹽化學氣相沉淀SiH4SiH2Cl2、SiCl4SiF4CF4、B2H6、PH3、NF3、HCl、HF、NH3擴散、離子注入BF3、AsH3PH3、H2SiH4、SiH2Cl2、BBr3、BCl3、B2H6金屬化工序SiH4、BCl3、AlCl3、TiCl4WF6TiF4SiF4、AlF3、BF3、SF6等 對酸性氣體、堿性氣體的處理一般都采用濕式洗滌塔技術。

對于有機廢氣采用吸附、焚燒或兩者相結合的處理方法。因為半導體工藝過程中有機廢氣具有排放流量大(通常大于11039 m3/小時)和濃度低(通常小于25ppmv)的特點,使用其它的處理技術難以達到令人滿意的處理效率。沸石濃縮轉輪后再吸附或焚燒。

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